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然气 图二十二a）针对grapheneh/BN器件的I-V转移特性及石墨烯场效应隧穿晶体管的示意结构。销售b）基于shish-kebab垂直双极半导体层的CMOS反相器的示意图。

价格d）基于单层WSe2和离子凝胶电介质的双电层晶体管的示意图。

e）合成的PDPP-4FTVT的化学结构;基于在n沟道（左）和p沟道（右）模式下操作的PDPP-4FTVT的晶体管的转移特性曲线（退火条件：天津温度为200℃，天津持续时间为10分钟）。欢迎大家到材料人宣传科技成果并对文献进行深入解读，市调市燃投稿邮箱:[email protected].投稿以及内容合作可加编辑微信：cailiaorenVIP.。

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